用于測(cè)量細(xì)胞行為的形態(tài)學(xué)生物傳感器，采用無(wú)標(biāo)記，非侵入性 方法 電子監(jiān)測(cè)組織培養(yǎng)中生長(zhǎng)的細(xì)胞

• 培養(yǎng)基中的非侵入性細(xì)胞分析
• 測(cè)量細(xì)胞形態(tài)的變化
• 多個(gè)實(shí)時(shí)測(cè)量
• 系統(tǒng)包括：ECIS Model Z Theta臺(tái)控制器，高架場(chǎng)模塊（即用于自動(dòng)傷口愈合或電穿孔研究的脈沖系統(tǒng)），用于數(shù)據(jù)收集和分析的軟件，包括模型計(jì)算，筆記本電腦

• ●	基于連續(xù)測(cè)量數(shù)據(jù)的新測(cè)定法，其不能通過(guò)終點(diǎn)法獲得
  ●	可以在不使用標(biāo)簽的情況下進(jìn)行測(cè)量，從而減少細(xì)胞損傷
  ●	卓越的可擴(kuò)展性，允許實(shí)驗(yàn)，如灌注培養(yǎng)，低氧培養(yǎng)和成像

  應(yīng)用

  ●細(xì)胞生長(zhǎng)●粘附和鋪展●細(xì)胞運(yùn)動(dòng)●細(xì)胞屏障功能的細(xì)胞
  ●細(xì)胞外底物的親和力的細(xì)胞毒性●病毒毒性●癌癥●信令的浸潤(rùn)
  ●●電穿孔傷口恢復(fù)和細(xì)胞遷移灌注培養(yǎng)

  特點(diǎn)

  ●ECIS-Z實(shí)時(shí)細(xì)胞分析儀
  ECIS-Z是，在不使用標(biāo)記，如熒光標(biāo)記的，是一個(gè)實(shí)時(shí)細(xì)胞分析系統(tǒng)來(lái)監(jiān)測(cè)“動(dòng)態(tài)”，在實(shí)時(shí)的小區(qū)的“形式”。
  操作非常簡(jiǎn)單，在進(jìn)入培養(yǎng)箱中的孔并按下開(kāi)始按鈕后，數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)獲取，直到實(shí)驗(yàn)結(jié)束。 使用帶電極的專(zhuān)用孔，測(cè)量電池的阻抗值（電阻值）的變化。 可以在短時(shí)間內(nèi)無(wú)創(chuàng)地監(jiān)測(cè)細(xì)胞事件超過(guò)100小時(shí)。
  有3種類(lèi)型的站用于設(shè)置井電極，8,16和96井站。 如果您想提高篩選研究的吞吐量，或者想要用更少的井進(jìn)行研究，可以通過(guò)選擇相應(yīng)的井站來(lái)最小化價(jià)格。

  ●ECIS-Z.theta實(shí)時(shí)細(xì)胞分析儀
  ECIS-Z.theta，除了阻抗測(cè)量ECIS-Z，電阻和電容，其是阻抗的組成部分可以被測(cè)量，從而捕獲細(xì)胞的更深的生物學(xué)性質(zhì)事情是可能的。
  　還可以使用獨(dú)特的數(shù)學(xué)模型來(lái)測(cè)量精確屏障函數(shù)（透明度）隨時(shí)間的變化。 它比通常用于上皮屏障測(cè)量的TER測(cè)量方法更準(zhǔn)確和連續(xù)的數(shù)據(jù)測(cè)量，它不僅可以測(cè)量上皮細(xì)胞，還可以測(cè)量?jī)?nèi)皮細(xì)胞的屏障功能。

  實(shí)時(shí)細(xì)胞分析儀選項(xiàng)

  ●高電場(chǎng)模塊，用于傷口·電穿孔
  使用自動(dòng)傷口功能和電穿孔實(shí)驗(yàn)的傷口愈合實(shí)驗(yàn)成為可能。 您可以設(shè)置傷口的時(shí)間，強(qiáng)度和頻率。 有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)單擊此處。 （*我們將轉(zhuǎn)到Applied BioPhysics的頁(yè)面。）

  ●顯微鏡培養(yǎng)裝置
  結(jié)合ECIS測(cè)量，除細(xì)胞動(dòng)力學(xué)的數(shù)值分析外，還可以進(jìn)行生命細(xì)胞成像。 有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)單擊此處。 （*我們將轉(zhuǎn)到Applied BioPhysics的頁(yè)面。）

  灌注培養(yǎng)系統(tǒng)
  ECIS軟件可以控制泵的流量。 最多可同時(shí)使用8個(gè)泵。 您可以設(shè)置脈動(dòng)流量，也可以控制剪切應(yīng)力。 欲了解更多信息（*我將轉(zhuǎn)到Applied BioPhysics Inc.的頁(yè)面）

  實(shí)時(shí)細(xì)胞分析設(shè)備數(shù)據(jù)示例

  細(xì)胞粘附和延伸 ● 準(zhǔn)確定量細(xì)胞粘附速度和運(yùn)動(dòng)性 ● 還可以預(yù)涂不同的細(xì)胞外基質(zhì)并比較與細(xì)胞的親和力	細(xì)胞遷移，傷口愈合（傷口愈合） ● 與傳統(tǒng)的劃痕/分析不同，它可以通過(guò)電力自動(dòng)控制細(xì)胞損傷 ● 評(píng)估傷口愈合并測(cè)量細(xì)胞遷移的變化
  癌細(xì)胞的侵襲/轉(zhuǎn)移潛能 ● 通過(guò)腫瘤細(xì)胞的浸潤(rùn)反映血管內(nèi)皮細(xì)胞的凋亡 ● 它通過(guò)暴露于轉(zhuǎn)移細(xì)胞反映內(nèi)皮細(xì)胞的外滲	細(xì)胞屏障功能 ● 使用特殊算法，計(jì)算細(xì)胞間隙和支架值，監(jiān)測(cè)準(zhǔn)確的屏障功能·細(xì)胞粘附強(qiáng)度 ● 該圖顯示了VEGF向內(nèi)皮細(xì)胞的添加

  
  

  實(shí)際電極的顯微照片
  通過(guò)細(xì)胞粘附后的阻抗變化可以理解細(xì)胞 的 微觀運(yùn)動(dòng)。

  實(shí)時(shí)細(xì)胞分析儀原理

  

  可以通過(guò)將用于測(cè)量1μA或更小的交流電流傳遞到金膜電極來(lái)測(cè)量阻抗。 它還可以實(shí)時(shí)分解并測(cè)量電阻和電容。 當(dāng)在電極上粘附和延伸時(shí)，電池不響應(yīng)1μA或更小的AC電流。 然而，由于處于絕緣狀態(tài)的細(xì)胞膜阻止或抑制電流流動(dòng)，因此可以在數(shù)值上測(cè)量阻抗變化。 因此，從阻抗的變化，細(xì)胞膜的各種特性 - 例如形態(tài)變化，屏障功能，細(xì)胞運(yùn)動(dòng)性，細(xì)胞分布，細(xì)胞膜的電容，能夠以平均尺寸或類(lèi)似的電池的正下方識(shí)別這將是。

  ECIS與其他技術(shù)的比較

  ECIS的能力	老方法
  實(shí)時(shí)測(cè)量細(xì)胞增殖	使用顯微鏡用熒光或放射性標(biāo)記測(cè)量細(xì)胞數(shù)
  以高重復(fù)性測(cè)量細(xì)胞粘附和延伸	用顯微鏡處理圖像。 用熒光或放射性標(biāo)記機(jī)械去除未附著的細(xì)胞
  從單細(xì)胞到融合細(xì)胞的細(xì)胞運(yùn)動(dòng)的定量測(cè)量	用具有圖像分析功能的顯微鏡連續(xù)觀察
  定量測(cè)量傷口愈合/細(xì)胞遷移	使用許多顯微圖像機(jī)械去除細(xì)胞和測(cè)量傷口愈合
  實(shí)時(shí)測(cè)量?jī)?nèi)皮和血管內(nèi)皮細(xì)胞層屏障功能的變化	TER測(cè)量非常緊密的層或Boyden室技術(shù)使用熒光或放射性標(biāo)簽

  ※請(qǐng)注意所發(fā)布產(chǎn)品的規(guī)格和外觀如有變更，恕不另行通知。

應(yīng)用：

• 細(xì)胞附著
• 傷口愈合和細(xì)胞遷移
• 信號(hào)轉(zhuǎn)導(dǎo)
• 流動(dòng)下的細(xì)胞行為
• 測(cè)量 轉(zhuǎn)移潛力
• 內(nèi)皮細(xì)胞屏障功能的 測(cè)量和建模
• 毒理學(xué)篩查

ECIS  方法 代表了一種 在體外 監(jiān)測(cè)活細(xì)胞的非侵入性方法 。 它測(cè)量小電極的阻抗隨時(shí)間的變化。

在該系統(tǒng)中，細(xì)胞生長(zhǎng)在攜帶非常弱的AC信號(hào)的小金膜電極上。 當(dāng)細(xì)胞附著并散布在這些電極上時(shí)，它們的絕緣膜阻擋并約束電流，導(dǎo)致測(cè)量的電極阻抗變化。 環(huán)境的任何變化，導(dǎo)致細(xì)胞的形態(tài)變化，改變當(dāng)前路徑并且可以通過(guò)儀器容易地檢測(cè)到。 這些變化可能是由于化合物的添加，物理環(huán)境的變化（例如 灌注 ， 轉(zhuǎn)染 事件，病毒感染和其他細(xì)胞的添加）。

ECIS系統(tǒng)無(wú)需任何標(biāo)簽即可收集連續(xù)的實(shí)時(shí)測(cè)量結(jié)果。 此外，由于在測(cè)量期間使用的弱AC電流對(duì)細(xì)胞沒(méi)有影響，因此該方法是完全非侵入性的。

細(xì)胞在ECIS電極上生長(zhǎng)

有兩個(gè)主要系統(tǒng)：ECIS模型Z和ECIS模型Zθ（theta）。 ECIS Model Z系統(tǒng)監(jiān)測(cè)用作細(xì)胞生長(zhǎng)基質(zhì)的小直徑250微米電極的阻抗。 ECIS ModelZθ系統(tǒng)將復(fù)阻抗解釋為電阻和電容，并且可以報(bào)告這些值以及簡(jiǎn)單的阻抗。 然后可以使用提供關(guān)于細(xì)胞層的屏障功能（R  b ），細(xì)胞下方的間隔（α）和細(xì)胞膜的電容（C  m ）的 信息的模型進(jìn)一步細(xì)化該數(shù)據(jù) 。

兩種系統(tǒng)均可提供2 x 8孔或96孔陣列站，是高通量應(yīng)用的理想選擇。 陣列站位于培養(yǎng)箱中，   以便細(xì)胞始終保持在理想的培養(yǎng)條件下。

ECIS測(cè)量的基本原理

流動(dòng)條件下的阻抗測(cè)量

對(duì)于流動(dòng)條件下的阻抗測(cè)量，將ECIS系統(tǒng)與泵系統(tǒng)結(jié)合使用，可以更加精確地模擬 體內(nèi) 環(huán)境。